NTBG160N120SC1
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onsemi NTBG160N120SC1
| Artikelnummer: | NTBG160N120SC1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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| 100+ | $7.3998 |
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onsemi NTBG160N120SC1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTBG160N120SC1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4.3V @ 2.5mA Vgs (Max) +25V, -15V Technologie SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device-Gehäuse D2PAK-7 Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 224mOhm @ 12A, 20V Verlustleistung (max) 136W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 678 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.8 nC @ 20 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19.5A (Tc) Grundproduktnummer NTBG160 -
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